Для текстурирования поверхности mc-Si использовались пластины ^-типа размером 20x20 мм, предназначенные для дальнейшего формирования на них фотоэлектрической структуры солнечного элемента. Текстурирование проводилось в вакуумной камере при остаточном давлении 10-6 мм рт. ст. излучением Кё:УЛО-лазера при плотности энергии 3,5 Дж/см . Образец размещался на программно управляемой двухкоординатной моторизованной платформе. Тестурирование происходило при сканировании со скоростью 370 мкм/с, латеральный сдвиг между линиями — 720 мкм. Полученные структуры исследовались методами оптической и электронной микроскопии. Полная отражательная способность измерялась на спектрометре ЛОМО-спектр СФ-56 с интегрирующей полусферой, позволяющей учесть не только зеркальное отражение, но и диффузное рассеяние излучения.
Тема: Лазерноетекстурированиекремниядлясозданиясолнечныхэлементов–теманаучнойстатьипонанотехно 
Пт Апр 29, 2022 6:11 pm